Name: TRS4E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS4E65H,S1Q-ND
Price: 2.8413 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TRS4E65H,S1Q
Número de produto da DigiKey	264-TRS4E65H,S1Q-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TRS4E65H,S1Q
Descrição	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 650 V 4A Furo passante TO-220-2L
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	650 V
Corrente - Média retificada (Io)	4A
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.35 V @ 4 A
Velocidade	Sem tempo de recuperação> 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Fuga reversa para Vr	55 µA @ 650 V
Capacitância para Vr, F	263pF a 1V, 1MHz
Tipo de montagem	Furo passante
Pacote / Invólucro	TO-220-2
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220-2L
Temperatura de operação - Junção	175°C

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Em estoque: 341

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	2,31000 €	2,31 €
50	1,18320 €	59,16 €
100	1,17340 €	117,34 €
500	0,95080 €	475,40 €
1 000	0,87155 €	871,55 €
2 000	0,83239 €	1 664,78 €

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.