Name: TRS6V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS6V65H,LQTR-ND
Price: 3.0873 EUR
Availability: InStock

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TRS6V65H,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TRS6V65H,LQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TRS6V65H,LQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TRS6V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TRS6V65H,LQ
Descrição	DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 650 V 6A Montagem em superfície 4-DFN-EP (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	650 V
Corrente - Média retificada (Io)	6A
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.35 V @ 6 A
Velocidade	Sem tempo de recuperação> 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Fuga reversa para Vr	70 µA @ 650 V
Capacitância para Vr, F	392pF a 1V, 1MHz
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	4-VSFN pad exposto
Invólucro do dispositivo fornecido	4-DFN-EP (8x8)
Temperatura de operação - Junção	175°C