Name: TW030N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW030N120CS1F-ND
Price: 40.467 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TW030N120C,S1F
Número de produto da DigiKey	264-TW030N120CS1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TW030N120C,S1F
Descrição	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 60A (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	40mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 13mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	82 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2925 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	249W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247
Pacote / Invólucro	TO-247-3

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Quantidade

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	32,90000 €	32,90 €
30	22,84500 €	685,35 €

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