Name: TW070J120B,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW070J120BS1Q-ND
Price: 21.54271 EUR
Availability: OutOfStock

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TW070J120B,S1Q
Número de produto da DigiKey	264-TW070J120BS1Q-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TW070J120B,S1Q
Descrição	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Tempo de espera previsto do fabricante	15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 36A (Tc) 272W (Tc) Furo passante TO-3P(N)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TW070J120B,S1Q Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	90mOhm a 18A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,8V a 20mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	67 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	±25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1680 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	272W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-3P(N)
Pacote / Invólucro	TO-3P-3, SC-65-3
Número base de produto	TW070J120

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