Canal N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furo passante TO-247
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Canal N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furo passante TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

Número de produto da DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
TW083N65C,S1F
Descrição
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Tempo de espera previsto do fabricante
24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
113mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 600µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
873 pF @ 400 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
111W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247
Pacote / Invólucro
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
115,26000 €15,26 €
309,44433 €283,33 €
1208,17025 €980,43 €
5107,66927 €3 911,33 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário sem VAT:15,26000 €
Preço unitário com VAT:18,76980 €