Name: XPH6R30ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND
Price: 2.091 EUR
Availability: InStock

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XPH6R30ANB,L1XHQ
Número de produto da DigiKey	264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XPH6R30ANBL1XHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XPH6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XPH6R30ANB,L1XHQ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	XPH6R30ANB,L1XHQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	45A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,3mOhm a 22,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 500µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3240 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP avançado (5x5)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	XPH6R30