Name: XPN3R804NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN3R804NCL1XHQTR-ND
Price: 1.7097 EUR
Availability: InStock

Canal N 40 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado-WF (3,1x3,1)

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XPN3R804NC,L1XHQ
Número de produto da DigiKey	264-XPN3R804NCL1XHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XPN3R804NCL1XHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XPN3R804NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XPN3R804NC,L1XHQ
Descrição	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado-WF (3,1x3,1)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	XPN3R804NC,L1XHQ Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 35 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Séries U-MOSVIII	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2230 pF @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 840mW (Ta), 100W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação 175°C
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 40A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-TSON avançado-WF (3,1x3,1)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,8mOhm a 20A, 10V	Número base de produto XPN3R804
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 300µA