Name: XPQ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 3.8622 EUR
Availability: InStock

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XPQ1R004PB,LXHQ
Número de produto da DigiKey	264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XPQ1R004PBLXHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XPQ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XPQ1R004PB,LXHQ
Descrição	40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 200A (Ta) 230W (Tc) Montagem em superfície L-TOGL™
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSIX-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 500µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6890 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	230W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	L-TOGL™
Pacote / Invólucro	PowerBSFN-8
Número base de produto	XPQ1R004