TK200F04N1L,LXGQ
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XPW6R30ANB,L1XHQ

Número de produto da DigiKey
264-XPW6R30ANBL1XHQTR-ND - Fita e carretel (TR)
264-XPW6R30ANBL1XHQCT-ND - Fita cortada (CT)
264-XPW6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante
XPW6R30ANB,L1XHQ
Descrição
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Tempo de espera previsto do fabricante
32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montagem em superfície 8-DSOP avançado
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
XPW6R30ANB,L1XHQ Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Séries
U-MOSVIII-H
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
45A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
6,3mOhm a 22,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,5V a 500µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3240 pF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-DSOP avançado
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
XPW6R30
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Em estoque: 4 606
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
12,35000 €2,35 €
101,51600 €15,16 €
1001,04140 €104,14 €
5000,84574 €422,87 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
5 0000,69096 €3 454,80 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:2,35000 €
Preço unitário com VAT:2,89050 €