Equivalente paramétrico
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RS3J-M3/9AT | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | RS3J-M3/9AT-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | RS3J-M3/9AT |
Descrição | DIODE STANDARD 600V 3A DO214AB |
Tempo de espera previsto do fabricante | 10 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Diodo 600 V 3A Montagem em superfície DO-214AB (SMC) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Tempo de recuperação reversa (trr) 250 ns |
Fabricante | Corrente - Fuga reversa para Vr 10 µA @ 600 V |
Embalagem Fita e carretel (TR) | Capacitância para Vr, F 34pF a 4V, 1MHz |
Part Status Ativo | Tipo de montagem |
Tecnologia | Pacote / Invólucro |
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido DO-214AB (SMC) |
Corrente - Média retificada (Io) 3A | Temperatura de operação - Junção -55°C a 150°C |
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If 1.3 V @ 2.5 A | Número base de produto |
Velocidade Rápida recuperação =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3J-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 402 | RS3J-E3/57TGICT-ND | 0,86000 € | Equivalente paramétrico |
| RS3J-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3 486 | RS3J-E3/9ATGICT-ND | 0,86000 € | Equivalente paramétrico |
| RS3J-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3J-M3/57T-ND | 0,18428 € | Equivalente paramétrico |
| RS3JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2 077 | 112-RS3JHE3_A/HCT-ND | 1,07000 € | Equivalente paramétrico |
| RS3JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3JHE3_A/I-ND | 0,26177 € | Equivalente paramétrico |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 7 000 | 0,16915 € | 1 184,05 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,16915 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 0,20805 € |



