Name: SM8S30AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S30AHE3_A/IGITR-ND
Price: 5.3628 EUR
Availability: InStock

48,4V Grampo 136A Diodo TVS Ipp Montagem em superfície DO-218AB

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SM8S30AHE3_A/I
Número de produto da DigiKey	SM8S30AHE3_A/IGITR-ND - Fita e carretel (TR) SM8S30AHE3_A/IGICT-ND - Fita cortada (CT) SM8S30AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de produto do fabricante	SM8S30AHE3_A/I
Descrição	TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
Tempo de espera previsto do fabricante	7 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	48,4V Grampo 136A Diodo TVS Ipp Montagem em superfície DO-218AB
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SM8S30AHE3_A/I Modelos

Atributos de produto

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Categoria Proteção de circuito Supressores de transiente de tensão (TVS) Diodos TVS	Corrente - Pico do pulso (10/1000µs) 136A
Fabricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Potência - Pico do pulso 6600W (6,6kW)
Séries PAR®	Proteção de linha de energia Não
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Part Status Ativo	Grau Automotivo
Tipo Zener	Qualificação AEC-Q101
Canais unidirecionais 1	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão - Reversa de trabalho (típ.) 30V	Pacote / Invólucro DO-218AB
Tensão - Ruptura (mín.) 33,3V	Invólucro do dispositivo fornecido DO-218AB
Tensão - Grampeamento (máx.) para Ipp 48,4V	Número base de produto SM8S30