VS-C08ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Produtos semicondutores discretos

VS-C08ET07T-M3 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Panjit International Inc.

Em estoque: 2 000

Preço unitário : 3,33000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

VS-C08ET07T-M3
Número de produto da DigiKey	751-VS-C08ET07T-M3-ND
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de produto do fabricante	VS-C08ET07T-M3
Descrição	DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 650 V 8A Furo passante TO-220AC

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	650 V
Corrente - Média retificada (Io)	8A
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.8 V @ 8 A
Velocidade	Rápida recuperação =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Fuga reversa para Vr	45 µA @ 650 V
Capacitância para Vr, F	355pF a 1V, 1MHz
Tipo de montagem	Furo passante
Pacote / Invólucro	TO-220-2
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220AC
Temperatura de operação - Junção	-55°C a 175°C
Número base de produto	C08ET07