2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

2N7002E-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	2N7002E-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 2N7002E-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	2N7002E-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Montagem em superfície TO-236
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	240mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3Ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	21 pF @ 5 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	350mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-236
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	2N7002