Name: IRF510STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF510STRRPBFTR-ND
Price: 2.2755 EUR
Availability: InStock

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IRF510STRRPBF
Número de produto da DigiKey	IRF510STRRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRF510STRRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRF510STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	IRF510STRRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 5,6A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8.3 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 180 pF @ 25 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3,7W (Ta), 43W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5,6A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 540mOhm a 3,4A, 10V	Número base de produto IRF510

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