Canal N 500 V 8A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
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Canal N 500 V 8A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF840SPBF

Número de produto da DigiKey
IRF840SPBF-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
IRF840SPBF
Descrição
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 500 V 8A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IRF840SPBF Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
850mOhm a 4,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1300 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,1W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
IRF840
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
12,27000 €2,27 €
501,11800 €55,90 €
1001,00570 €100,57 €
5000,80880 €404,40 €
1 0000,74550 €745,50 €
2 0000,69229 €1 384,58 €
5 0000,66218 €3 310,90 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário sem VAT:2,27000 €
Preço unitário com VAT:2,79210 €
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