Canal P 200 V 1,8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
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Canal P 200 V 1,8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF9610SPBF

Número de produto da DigiKey
IRF9610SPBF-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
IRF9610SPBF
Descrição
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
43 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 200 V 1,8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IRF9610SPBF Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal P
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
1,8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
3Ohm a 900mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
170 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
IRF9610
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
12,32000 €2,32 €
101,49200 €14,92 €
1001,02450 €102,45 €
5000,82460 €412,30 €
1 0000,76034 €760,34 €
2 0000,70631 €1 412,62 €
5 0000,67772 €3 388,60 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário sem VAT:2,32000 €
Preço unitário com VAT:2,85360 €
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