Canal N 800 V 4,1A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
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Canal N 800 V 4,1A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRFBE30SPBF

Número de produto da DigiKey
IRFBE30SPBF-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IRFBE30SPBF
Descrição
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
43 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 800 V 4,1A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IRFBE30SPBF Modelos
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Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
3Ohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1300 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
13,80000 €3,80 €
501,94280 €97,14 €
1001,76290 €176,29 €
5001,44778 €723,89 €
1 0001,34656 €1 346,56 €
2 0001,26148 €2 522,96 €
5 0001,22173 €6 108,65 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário sem VAT:3,80000 €
Preço unitário com VAT:4,67400 €