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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IRLD024PBF | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IRLD024PBF-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IRLD024PBF |
Descrição | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 60 V 2,5A (Ta) 1,3W (Ta) Furo passante 4-HVMDIP |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IRLD024PBF Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Obsoleto | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 100mOhm a 1,5A, 5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 18 nC @ 5 V | |
Vgs (máx.) | ±10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 870 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 1,3W (Ta) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 4-HVMDIP | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Obsoleto
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