MXP120A045FW-GE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

MXP120A045FW-GE3
Número de produto da DigiKey	742-MXP120A045FW-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	MXP120A045FW-GE3
Descrição	SILICON CARBIDE MOSFET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 49A (Tc) 227W (Tc) Furo passante TO-247-3L
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	MaxSiC™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	49A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	56mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,38V a 5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	75.6 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1958 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	227W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247-3L
Pacote / Invólucro	TO-247-3

MXP120A045FW-GE3