MXP120A080FW-GE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

MXP120A080FW-GE3
Número de produto da DigiKey	742-MXP120A080FW-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	MXP120A080FW-GE3
Descrição	SILICON CARBIDE MOSFET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 29A (Tc) 139W (Tc) Furo passante TO-247-3L
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	MXP120A080FW-GE3 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	MaxSiC™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	29A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	100mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,69V a 5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	47.3 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1156 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	139W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247-3L
Pacote / Invólucro	TO-247-3

Preço unitário sem VAT:	8,76000 €
Preço unitário com VAT:	10,77480 €

MXP120A080FW-GE3