Name: SI1308EDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1308EDL-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6519 EUR
Availability: InStock

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SI1308EDL-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI1308EDL-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI1308EDL-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI1308EDL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI1308EDL-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 1,4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Montagem em superfície SC-70-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI1308EDL-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 4.1 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±12V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 105 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido SC-70-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 1,4A (Tc)	Pacote / Invólucro SC-70, SOT-323
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 10V	Número base de produto SI1308
Rds on (máx.) para Id, Vgs 132mOhm a 1,4A, 10V