SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

SI1330EDL-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SI1330EDL-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SI1330EDL-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI1330EDL-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Montagem em superfície SC-70-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI1330EDL-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	240mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,5Ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	280mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SC-70-3
Pacote / Invólucro	SC-70, SOT-323
Número base de produto	SI1330

SI1330EDL-T1-GE3