Name: SI2307CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2307CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.861 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI2307CDS-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI2307CDS-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2307CDS-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2307CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2307CDS-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 3,5A (Tc) 1,1W (Ta), 1,8W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 340 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,1W (Ta), 1,8W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,5A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SI2307
Rds on (máx.) para Id, Vgs 88mOhm a 3,5A, 10V

Relatar erro de informações do produto

Documentos e mídia

Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Em estoque: 108 046

Verifique se há estoque adicional de entrada

Quantidade

Todos os preços estão em EUR

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)