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SI2312BDS-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SI2312BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI2312BDS-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2312BDS-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2312BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI2312BDS-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 20 V 3,9A (Ta) 750mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI2312BDS-T1-GE3 Modelos |
Atributos de produto
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Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 31mOhm a 5A, 4,5V |
Fabricante | Vgs(th) (máx.) para Id 850mV a 250µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 4.5 V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Vgs (máx.) ±8V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 750mW (Ta) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V | Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V | Número base de produto |
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Substitutos (4)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| AO3420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 670 569 | 785-1014-1-ND | 0,54000 € | Similar |
| FDN339AN | onsemi | 29 890 | FDN339ANCT-ND | 0,68000 € | Similar |
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | 2 333 | RUR040N02TLCT-ND | 0,96000 € | Similar |
| XP2344GN | YAGEO XSEMI | 670 | 5048-XP2344GNCT-ND | 0,37000 € | Similar |
Obsoleto
