Name: SI2319CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2319CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9348 EUR
Availability: OutOfStock

SI2319CDS-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI2319CDS-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2319CDS-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2319CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2319CDS-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 4,4A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI2319CDS-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	77mOhm a 3,1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	595 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	SI2319

Preço unitário sem VAT:	0,76000 €
Preço unitário com VAT:	0,93480 €

SI2319CDS-T1-GE3