Name: SI2338DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2338DS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.8733 EUR
Availability: InStock

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SI2338DS-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI2338DS-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2338DS-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2338DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2338DS-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 6A (Tc) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 13 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 424 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SI2338
Rds on (máx.) para Id, Vgs 28mOhm a 5,5A, 10V

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