Name: SI2356DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2356DS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.5658 EUR
Availability: InStock

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SI2356DS-T1-BE3
Número de produto da DigiKey	742-SI2356DS-T1-BE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SI2356DS-T1-BE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SI2356DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2356DS-T1-BE3
Descrição	N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 3,2A (Ta), 4,3A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,2A (Ta), 4,3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	51mOhm a 3,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	370 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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