Name: SI2369DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2369DS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.8856 EUR
Availability: InStock

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SI2369DS-T1-BE3
Número de produto da DigiKey	742-SI2369DS-T1-BE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SI2369DS-T1-BE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SI2369DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2369DS-T1-BE3
Descrição	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 5,4A (Ta), 7,6A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 36 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1295 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal P	Dissipação de potência (máx.) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5,4A (Ta), 7,6A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 29mOhm a 5,4A, 10V

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