Name: SI2377EDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2377EDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.738 EUR
Availability: InStock

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SI2377EDS-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI2377EDS-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2377EDS-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2377EDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2377EDS-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 4,4A (Tc) 1,25W (Ta), 1,8W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	61mOhm a 3,2A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	21 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,25W (Ta), 1,8W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	SI2377

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