Name: SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND
Price: 1.1193 EUR
Availability: InStock

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SI3129DV-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SI3129DV-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SI3129DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI3129DV-T1-GE3
Descrição	P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	33 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 80 V 3,8A (Ta), 5,4A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,8A (Ta), 5,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	82,7mOhm a 3,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	805 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta), 4,2W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-TSOP
Pacote / Invólucro	SOT-23-6 fino, TSOT-23-6