SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

SI3442BDV-T1-E3
Número de produto da DigiKey	SI3442BDV-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI3442BDV-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT) SI3442BDV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI3442BDV-T1-E3
Descrição	MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI3442BDV-T1-E3 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	57mOhm a 4A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,8V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	295 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	860mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-TSOP
Pacote / Invólucro	SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Número base de produto	SI3442

Preço unitário sem VAT:	0,81000 €
Preço unitário com VAT:	0,99630 €

SI3442BDV-T1-E3