Name: SI3459BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3459BDV-T1-GE3TR-ND
Price: 1.353 EUR
Availability: InStock

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SI3459BDV-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI3459BDV-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI3459BDV-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI3459BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI3459BDV-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	11 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 2,9A (Tc) 2W (Ta), 3,3W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI3459BDV-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 350 pF @ 30 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 3,3W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2,9A (Tc)	Pacote / Invólucro SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SI3459
Rds on (máx.) para Id, Vgs 216mOhm a 2,2A, 10V

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