SI3460BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

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SI3460BDV-T1-BE3
Número de produto da DigiKey	742-SI3460BDV-T1-BE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SI3460BDV-T1-BE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SI3460BDV-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI3460BDV-T1-BE3
Descrição	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 6,7A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3,5W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 24 nC @ 8 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Part Status Obsoleto	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 860 pF @ 10 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 3,5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6,7A (Ta), 8A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Pacote / Invólucro SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Rds on (máx.) para Id, Vgs 27mOhm a 5,1A, 4,5V

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Quantidade

Todos os preços estão em EUR

Fita cortada (CT)

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	1,10000 €	1,10 €
10	0,69200 €	6,92 €

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Preço unitário com VAT:	1,35300 €

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