Name: SI4100DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4100DY-T1-E3TR-ND
Price: 1.9803 EUR
Availability: InStock

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SI4100DY-T1-E3
Número de produto da DigiKey	SI4100DY-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4100DY-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4100DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI4100DY-T1-E3
Descrição	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 6,8A (Tc) 2,5W (Ta), 6W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI4100DY-T1-E3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6,8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	63mOhm a 4,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	600 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 6W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	SI4100