Canal P 30 V 14,3A (Ta), 19,3A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
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SI4153DY-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
742-SI4153DY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
742-SI4153DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
SI4153DY-T1-GE3
Descrição
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante
22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 30 V 14,3A (Ta), 19,3A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SI4153DY-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
9,5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3600 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,1W (Ta), 5,6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-SOIC
Pacote / Invólucro
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Em estoque: 13 621
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
11,06000 €1,06 €
100,66600 €6,66 €
1000,43780 €43,78 €
5000,33960 €169,80 €
1 0000,30798 €307,98 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
2 5000,27374 €684,35 €
5 0000,25257 €1 262,85 €
7 5000,24178 €1 813,35 €
12 5000,22967 €2 870,88 €
17 5000,22250 €3 893,75 €
25 0000,21553 €5 388,25 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:1,06000 €
Preço unitário com VAT:1,30380 €