Name: SI4190BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 3.2349 EUR
Availability: InStock

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SI4190BDY-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SI4190BDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SI4190BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI4190BDY-T1-GE3
Descrição	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI4190BDY-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 95 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4150 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Ta), 17A (Tc)	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SI4190
Rds on (máx.) para Id, Vgs 9,3mOhm a 10A, 10V