
SI4202DY-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI4202DY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4202DY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4202DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4202DY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 38 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 12,1A 3,7W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI4202DY-T1-GE3 Modelos |
Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 14mOhm a 8A, 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 17nC a 10V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 710pF a 15V |
Part Status Ativo | Potência - Máx. 3,7W |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Configuração 2 canais N (duplo) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Característica FET Porta de nível lógico | Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V | Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12,1A | Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,76000 € | 1,76 € |
| 10 | 1,11800 € | 11,18 € |
| 100 | 0,75420 € | 75,42 € |
| 500 | 0,59798 € | 298,99 € |
| 1 000 | 0,54776 € | 547,76 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,49340 € | 1 233,50 € |
| 5 000 | 0,45981 € | 2 299,05 € |
| 7 500 | 0,44271 € | 3 320,32 € |
| 12 500 | 0,42495 € | 5 311,88 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,76000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 2,16480 € |









