
SI4214DDY-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI4214DDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4214DDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4214DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4214DDY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 38 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 8,5A 3,1W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI4214DDY-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais N (duplo) | |
Característica FET | Porta de nível lógico | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 8,5A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 19,5mOhm a 8A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 22nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 660pF a 15V | |
Potência - Máx. | 3,1W | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 0,97000 € | 0,97 € |
| 10 | 0,60500 € | 6,05 € |
| 100 | 0,39590 € | 39,59 € |
| 500 | 0,30588 € | 152,94 € |
| 1 000 | 0,27688 € | 276,88 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,24548 € | 613,70 € |
| 5 000 | 0,22607 € | 1 130,35 € |
| 7 500 | 0,21618 € | 1 621,35 € |
| 12 500 | 0,20507 € | 2 563,38 € |
| 17 500 | 0,19849 € | 3 473,57 € |
| 25 000 | 0,19210 € | 4 802,50 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,97000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,19310 € |



