
SI4435DDY-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI4435DDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4435DDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4435DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4435DDY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO |
Tempo de espera previsto do fabricante | 28 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 30 V 11,4A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI4435DDY-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 24mOhm a 9,1A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 50 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1350 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2,5W (Ta), 5W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,03000 € | 1,03 € |
| 10 | 0,64300 € | 6,43 € |
| 100 | 0,42170 € | 42,17 € |
| 500 | 0,32670 € | 163,35 € |
| 1 000 | 0,29607 € | 296,07 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,26291 € | 657,27 € |
| 5 000 | 0,24241 € | 1 212,05 € |
| 7 500 | 0,23196 € | 1 739,70 € |
| 12 500 | 0,22023 € | 2 752,88 € |
| 17 500 | 0,21328 € | 3 732,40 € |
| 25 000 | 0,20653 € | 5 163,25 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,03000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,26690 € |











