SI4465ADY-T1-E3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

SI4465ADY-T1-E3
Número de produto da DigiKey	SI4465ADY-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4465ADY-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4465ADY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI4465ADY-T1-E3
Descrição	MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 8 V 13,7A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 6,5W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	8 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13,7A (Ta), 20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9mOhm a 14A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	85 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 6,5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	SI4465

SI4465ADY-T1-E3