Name: SI4477DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4477DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.1279 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI4477DY-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI4477DY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4477DY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4477DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI4477DY-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 26,6A (Tc) 3W (Ta), 6,6W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	26,6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,2mOhm a 18A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4600 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 6,6W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	SI4477