Name: SI4564DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4564DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.0541 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI4564DY-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI4564DY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI4564DY-T1-GE3
Descrição	MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 40V 10A, 9,2A 3,1W, 3,2W Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI4564DY-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	Canal N e P
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A, 9,2A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	17,5mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	31nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	855pF a 20V
Potência - Máx.	3,1W, 3,2W
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Número base de produto	SI4564