SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

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SI4800BDY-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI4800BDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4800BDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4800BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI4800BDY-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 6,5A (Ta) 1,3W (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 18,5mOhm a 9A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 1,8V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 13 nC @ 5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±25V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 1,3W (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6,5A (Ta)	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SI4800

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Substitutos (3)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
SI4178DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	6 705	SI4178DY-T1-GE3CT-ND	0,92000 €	Recomendado pelo fabricante
FDS8884	onsemi	10	FDS8884CT-ND	0,82000 €	Similar
STS10N3LH5	STMicroelectronics	1 933	497-10010-1-ND	1,39000 €	Similar

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Preço unitário sem VAT:	1,25000 €
Preço unitário com VAT:	1,53750 €

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