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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SI4808DY-T1-E3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI4808DY-T1-E3-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4808DY-T1-E3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 5,7A 1,1W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais N (duplo) | |
Característica FET | Porta de nível lógico | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 5,7A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 22mOhm a 7,5A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 800mV a 250µA (mín.) | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 20nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | - | |
Potência - Máx. | 1,1W | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Número base de produto |
Manufacturer Quote Required
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