Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 2.6445 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI4816BDY-T1-E3
Número de produto da DigiKey	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI4816BDY-T1-E3
Descrição	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 5,8A, 8,2A 1W, 1,25W Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI4816BDY-T1-E3 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Rds on (máx.) para Id, Vgs 18,5mOhm a 6,8A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Séries LITTLE FOOT®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 10nC a 5V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 1W, 1,25W
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Configuração 2 canais N (meia ponte)	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Característica FET Porta de nível lógico	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V	Número base de produto SI4816
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5,8A, 8,2A