Cascata MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montagem em superfície 8-SOIC
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SI4900DY-T1-E3

Número de produto da DigiKey
SI4900DY-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SI4900DY-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT)
SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SI4900DY-T1-E3
Descrição
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SI4900DY-T1-E3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 canais N (duplo)
Característica FET
Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
5,3A
Rds on (máx.) para Id, Vgs
58mOhm a 4,3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
20nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
665pF a 15V
Potência - Máx.
3,1W
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido
8-SOIC
Número base de produto
SI4900
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Quantidade
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Fita cortada (CT)
Quantidade Preço unitário Preço total
11,52000 €1,52 €
100,96600 €9,66 €
1000,64860 €64,86 €
Preço unitário sem VAT:1,52000 €
Preço unitário com VAT:1,86960 €