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SI4936BDY-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SI4936BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4936BDY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 6,9A 2,8W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 35mOhm a 5,9A, 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 15nC a 10V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 530pF a 15V |
Part Status Obsoleto | Potência - Máx. 2,8W |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Configuração 2 canais N (duplo) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Característica FET Porta de nível lógico | Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V | Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6,9A | Número base de produto |
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Substitutos (3)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8K12TB1 | Rohm Semiconductor | 0 | SH8K12TB1-ND | 0,37433 € | Similar |
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Obsoleto
