
SI4943CDY-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI4943CDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4943CDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4943CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4943CDY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 38 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 20V 8A 3,1W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI4943CDY-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais P (duplo) | |
Característica FET | Porta de nível lógico | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 8A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 19,2mOhm a 8,3A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 62nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1945pF a 10V | |
Potência - Máx. | 3,1W | |
Temperatura de operação | -50°C a 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 2,22000 € | 2,22 € |
| 10 | 1,42700 € | 14,27 € |
| 100 | 0,97460 € | 97,46 € |
| 500 | 0,78096 € | 390,48 € |
| 1 000 | 0,71872 € | 718,72 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,65138 € | 1 628,45 € |
| 5 000 | 0,60978 € | 3 048,90 € |
| 7 500 | 0,58860 € | 4 414,50 € |
| 12 500 | 0,58686 € | 7 335,75 € |
| Preço unitário sem VAT: | 2,22000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 2,73060 € |


