Name: SI5442DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5442DU-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0578 EUR
Availability: InStock

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SI5442DU-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI5442DU-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI5442DU-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI5442DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI5442DU-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 25A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® ChipFet único
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI5442DU-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	10mOhm a 8A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	900mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	45 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1700 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPAK® ChipFet único
Pacote / Invólucro	PowerPAK® ChipFET™ único
Número base de produto	SI5442