Canal P 20 V 6A (Tc) 5,7W (Tc) Montagem em superfície 1206-8 ChipFET™
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SI5457DC-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SI5457DC-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SI5457DC-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SI5457DC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SI5457DC-T1-GE3
Descrição
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Tempo de espera previsto do fabricante
54 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 20 V 6A (Tc) 5,7W (Tc) Montagem em superfície 1206-8 ChipFET™
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SI5457DC-T1-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal P
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
36mOhm a 4,9A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id
1,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1000 pF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
5,7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
1206-8 ChipFET™
Pacote / Invólucro
8-SMD, condutores planos
Número base de produto
SI5457
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Em estoque: 3 179
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
10,77000 €0,77 €
100,47800 €4,78 €
1000,30980 €30,98 €
5000,23700 €118,50 €
1 0000,21355 €213,55 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3 0000,17170 €515,10 €
6 0000,15767 €946,02 €
9 0000,15598 €1 403,82 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:0,77000 €
Preço unitário com VAT:0,94710 €